收藏本站
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
V GS = 10 V
V GS = 6 V
5
4
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
6
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 5 V
3
V GS = 5 V
4
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
2
V GS = 6 V
2
V GS = 4 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
500
2.0
1.8
I D = 2.3 A
V GS = 10 V
400
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 2.3 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
300
200
100
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
8
6
4
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
1
0.1
0.01
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
6
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC86244 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDC8878 MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT
FDC8884 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
FDC8886 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
FDD050N03B MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
FDD10AN06A0 MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
FDD13AN06A0 MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
FDD14AN06LA0_F085 MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
FDD16AN08A0_F085 MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
相关代理商/技术参数
FDC87W23 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral (Multifunction) Controller
FDC8878 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC8884 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC8886 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC91C36BP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:SMSC 功能描述:
FDC91C36P 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
FDC9216 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FLOPPY DISK DATA SEPARATOR FDDS
FDC9216B 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:DISK DATA SEP/SYNCHRONIZER, 8 Pin, Ceramic, DIP